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TI德州儀器TPS50601A-SP耐輻射6A同步降壓轉換器

發布時間：2024-02-27 09:27:56     瀏覽：631

TI 德州儀器TPS50601A-SP是一款耐輻射的同步降壓轉換器，能夠提供7V、6A的輸出電壓。這款轉換器具有高效率，并集成了高側和低側MOSFET，非常適合小型設計。它通過電流模式控制減少了組件數量，通過高開關頻率縮小了電感器封裝尺寸，從而進一步節省空間。該器件采用超小尺寸的熱增強型20引腳陶瓷扁平封裝。

通過SS/TR引腳控制，可以實現輸出電壓啟動斜坡，從而實現獨立電源或跟蹤狀態的運行。此外，正確配置時可以啟用電源排序功能，利用開漏電源正常引腳。TPS50601A-SP還可以配置為主/從模式，提供高達12A的輸出電流。

高側FET采用逐周期電流限制，可以在過載情況下保護器件，并通過低側電流限流防止電流失控，實現功能增強。此外，低側吸收電流限制功能可關閉低側MOSFET，以預防過多的反向電流。當芯片溫度超過熱關斷溫度時，熱關斷功能將禁用此器件。

hkh0020a.png

選型：

器件型號等級封裝
5962-1022102VSCOMLVCFP (20)
5962R1022102VSCRHA-100krad (Si）
TPS50601AHKH/EM工程評估(2）
5962R1022102V9AKGD RHA-100krad (Si）裸片(3）

TPS50601A-SP具有如下特點：

1. 耐輻射性能：可承受高達100krad(Si)的總離子劑量損壞，而且不會因低劑量率輻射損傷增強(ELDRS)而發生變化。

2. 單粒子鎖定(SEL)抗擾度：對于LET值為75MeV-cm2/mg的顆粒具有強抗干擾能力。

3. 抗 SEB(Single Event Burnout)和 SEGR(Single Event Gate Rupture)：在75MeV-cm2/mg的情況下，提供了適應性與狀態曲線。

4. 提供SET/SEFI橫截面圖，幫助了解單事件翻轉和單事件故障抗擾度。

5. 高效率：峰值效率可達96.6%(VO=3.3V)，有效節省能源。

6. 集成MOSFET：集成了58m?/50m?的高側和低側功率開關MOSFET，簡化了設計，提高了效率。

7. 輸入電壓范圍：電源軌為3至7V，最大輸出電流為6A，適用于多種應用。

8. 靈活的開關頻率選項：內部振蕩器可調節100kHz至1MHz，支持外部同步功能頻率范圍為100kHz至1MHz。

9. 保護功能：支持過欠壓鎖定、軟啟動、電源定序、輸入欠壓鎖定等多種保護功能，保障穩定運行。

10. 封裝和適用性：采用20引腳的超小型耐熱增強型陶瓷扁平封裝，適用于太空應用等特殊環境下的使用需求。

       深圳市立維創展科技有限公司，專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產品系列新品產品，并備有現貨庫存，可當天發貨。

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